neprihlásený Pondelok, 21. apríla 2025, dnes má meniny Ervín
Samsung predstavil flash pamäť s viac ako 400 vrstvami

Značky: Samsungflash pamäť

DSL.sk, 26.2.2025


Spoločnosť Samsung na konferencii ISSCC, International Solid-State Circuit Conference, predstavila novú desiatu generáciu jej V-NAND flash pamäte, ktorá bude mať viac ako 400 vrstiev.

Upozornil na to Tom’s Hardware.

Spustenie masovej výroby predchádzajúcej deviatej generácie flash pamäte Samsung oznámil v apríli minulého roka. Spoločnosť neavizuje presný počet vrstiev svojej flash pamäte, podľa niektorých juhokórejských médií má mať deviata generácia okolo 290 vrstiev.

Ako prvé začne spoločnosť vyrábať TLC čipy desiatej generácie s kapacitou 1 terabit respektíve 128 GB. Oproti takýmto čipom deviatej generácie sa má hustota dát zvýšiť zo 17 gigabitov na mm2 na 28 gigabitov na mm2. Rýchlosť rozhrania má stúpnuť z maximálne 3200 MT/s na 5600 MT/s.

Najviac vrstiev z už vyrábanej flash pamäte má v súčasnosti flash pamäť od SK hynix s 321 vrstvami. Najviac vrstiev spomedzi ohlásenej flash pamäte mala doteraz minulý týždeň predstavená flash pamäť od spoločností Kioxia a SanDisk s 332 vrstvami.

Kedy začne Samsung vyrábať prvé čipy V-NAND flash pamäte desiatej generácie nie je zatiaľ známe.


      Zdieľaj na Twitteri



Najnovšie články:

Satelity Amazonu pre službu satelitného pripojenia budú vypustené až na konci mesiaca
Pripravuje sa ďalší Star Wars film, s Ryanom Goslingom
Používanie HDD má oveľa menšie emisie ako SSD, tvrdí Seagate
Vydané Ubuntu 25.04, s oficiálnou verziou aj pre ARM notebooky
Intel predáva polovicu výrobcu FPGA čipov Altera


Diskusia:
                               
 

SAMSUNG? To sú tí šuplikanti, ktorí ani netušia ako vyrobiť funkčnú súčiastku??
Odpovedať Známka: -1.2 Hodnotiť:
 

Tak logicky, že ak zvládajú synchronizáciu mozgových hemisfér na úrovni potlačenia tušenia, ako formy déjà vu, tak na to priekazne majú.
Odpovedať Hodnotiť:
 

Čo nám ešte povieš maniak?
Odpovedať Hodnotiť:

Pridať komentár