Hoci spoločnosť Intel prišla o časové prvenstvo v spustení výroby čipov procesom označovaným ako 10-nanometrový, ako sa očakávalo jej 10-nm výrobný proces je výrazne ďalej ako konkurenčné rovnako označené výrobné procesy.
Vyplýva to z aktuálnych konkrétnych informácií o parametroch 10-nm čipov zverejnených Intelom.
Spoločnosť Intel totiž dosahuje u svojich pripravovaných procesorov vyrábaných 10-nm výrobným procesom podľa jej informácií približne dvojnásobnú hustotu tranzistorov na jednotku plochy oproti konkurentom.
U súčasných výrobných procesov číselný údaj už priamo nutne nezodpovedá veľkosti žiadneho prvku vo vyrábaných čipoch a rovnako označené procesy jednotlivých výrobcov sa môžu parametrami výrazne líšiť.
Konkrétne Intel dosahuje u 10-nm procesu 100.8 miliónov tranzistorov na mm2. Tým sa výrazne zlepšil oproti svojmu 14-nm výrobnému procesu, u ktorého to bolo 37.5 miliónov. Toto 2.7-násobné zvýšenie ja najväčšie za posledné generácie, pri prechode z 22 na 14 nm to bolo 2.5x, pri prechode z 32 na 22 nm 2.1x a pri prechode zo 45 na 32 nm 2.3x.
2.7-násobné zlepšenie bolo dosiahnuté zmenšením veľkostí a vzdialeností rozličných prvkov tranzistorov ale tiež novým umiestnením kontaktov brán, ktoré je priestorovo úspornejšie. Napríklad vzdialenosť rebier tranzistorov sa zmenšila zo 42 na 34 nm, vzdialenosť brán zo 70 na 54 nm, vzdialenosť metalických kontaktov z 52 na 36 nm.
Takéto zlepšenie hustoty a celkovo nový výrobný proces podľa Intelu umožní čipy s o 25% lepším výkonom a o 45% nižšiu spotrebu ako u 14-nm procesu. V tomto prípade Intel porovnáva výkon s prvou generáciou výrobného 14-nm procesu a nie aktuálnou zlepšenou generáciou 14+ alebo ďalšou plánovanou 14++.
Hustota tranzistorov pre jednotlivé generácie výrobných procesov na čipe, kliknite pre zväčšenie (graf: Intel)
Podľa Intelu je jeho 10-nm výrobný proces o celú generáciu napred voči konkurencii, čo by znamenalo dobehnutie parametrov tohto procesu konkurentami až so 7-nm procesom.
Samsung spustil masovú výrobu 10-nm procesorov v minulom roku, na konci minulého roka ju mala spustiť aj TSMC. Globalfoundries 10-nm proces vynecháva.
Intel by mal uviesť prvé 10-nm procesory na trh zrejme ku koncu roka respektíve na prelome rokov.
Spoločnosť zároveň avizovala aj zlepšenia očakávané u ďalšej iterácie výrobného procesu 10++ nasledujúcej po 10 nm a medzistupni 10+. Pri výrobnom procese 10++ konkrétne očakáva zlepšenie výkonu o ďalších 15% a zníženie spotreby o 30%.
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Ako???
Od: zxcvbn
|
Pridané:
30.3.2017 9:01
Ako moze 2.7 nasobne zvacsenie poctu trazistorov zmensit spottebu o 45%?
|
|
Re: Ako???
Od: Aladin
|
Pridané:
30.3.2017 9:10
Veľmi.
|
|
Re: Ako???
Od reg.: akoze
|
Pridané:
30.3.2017 9:14
to je na mm2. cipy mozu byt mensie. ako to suvisi s nizsou spotrebou neviem, ale predpokladam ze na urovni tranzistorov cim mensie prechody, tym mensie napatie a prudy ti stacia na to aby to fungovalo (plus aby si to neodpalil). a samozrejme, musi to byt rychlejsie (zase tensi pn prechod, kratsie drahy, menej elektronov/dier ktore musis manazovat)
|
|
Re: Ako???
Od: >^.^<
|
Pridané:
30.3.2017 10:37
jj, recht mas - je to hlavne kvoli detekcii - mas nejaku streku poskladanu z tranzistorov, na konci ktorej mas detektor, ktory ti deteguje zmeny v napati.
a ide o to, ze cim dlhsia streka a cim rychlejsia zmena stavov, tym viac potrebujes vykurit na voltoch, aby to detektor na konci stihal spravne vyhodnocovat.
|
|
Re: Ako???
Od reg.: K-NinetyNine
|
Pridané:
30.3.2017 11:09
+ za spravne 'k' a 'g' ;)
|
|
Re: Ako???
Od reg.: akoze
|
Pridané:
30.3.2017 12:02
hradla, logicke obvody a cislicova technika zmeny v napati nedeteguju. mas alebo logicku 1 alebo 0 alebo neurcity stav. jedno hradlo NAND = 2 tranzistory, na vystupe napatie alebo mas alebo nemas (logicka 1 alebo 0). ak su tam zmeny tak len zmeny logickych stavov, a casovanie (takt) kedze bez sekvencnych obvodov pocitadlo nepostavis. samotny "detektor" je dalsie hradlo ktore nic nemusi detekovat, lebo z fyzikalnych principov sa sprava TAK ked to napatie na vstupe ma a INAK ked nema. ono ho ale nedetekuje.
je to ako potrubie s vodou, to tiez nedetekuje ci si kohutik zavrel alebo nie. voda bud potecie alebo nie.
|
|
Re: Ako???
Od: edghar
|
Pridané:
30.3.2017 13:55
Take idealne ako si to predstavujes je prave len na tom kohutiku s vodou...
|
|
Re: Ako???
Od: risototh
|
Pridané:
30.3.2017 9:14
a co tak druhy parameter, ktory umoznil to navysenie poctu tranzistorov, teda ich velkost? ta jednoznacne vplyva na ich spotrebu (napoviem, parazitne kapacity a velkost struktur)
|
|
Re: Ako???
Od: syntaxterrorXXX
|
Pridané:
30.3.2017 9:36
Ten ale nie je tak podstatny bez zhustovania, len cez take male fugy uz treba vyssie CFNM kvoli chladeniu.
|
|
Re: Ako???
Od: čitateľ
|
Pridané:
30.3.2017 9:30
Ak by šlo o dve celých sedem, tak by sa dalo uvažovať ďalej.
Ale toto asi treba prenásobiť nejakými palcami, lakťami a stopami.. a možno sa k tomu dostaneš.
|
|
Re: Ako???
Od reg.: K-NinetyNine
|
Pridané:
30.3.2017 11:08
medsie prvky, mensie vzdialenosti = menej zbytocneho tepla = mensia spotreba energie + dalsie usetrenie energie na chladenie
|
|
Re: Ako???
Od: ajajaj
|
Pridané:
30.3.2017 13:10
Ak natesnas viac prvkov generujucich odpalove teplo blizsie k sebe navzajom (cize teplo generujuce prvkom 1 z vo vacsej miere je vsetrebane prvkom 2 a opacne), znamena to mensie prehrievanie ??
Divna to logika...
Mensie prvky.. mozno ano, ale to aj tak prehrievanie zavisi od architektury danych prvkov najviac. Nielen od ich velkosti.
|
|
Re: Ako???
Od: ajajaj
|
Pridané:
30.3.2017 13:15
Navyse zabudol si na to ze Intel vyraba 3D nie 2D uz nejaky ten rok takze tam je problem skor v tom ze viac prvkov v malom objeme tazsie uchladis.
Kedy prvky boli naukladane iba 2d tak teplo lahko odvedies z 1 velkej 'spolocnej' plochy a teda uchladis ale pri 3D usporiadani s tym chladenim je problem -> mensi vyrobny proces -> viac prvkov na jednotkovy objem -> pocet prvkov rastie rychlejsie ako odpalove teplo generovane jednym provkom -> tazsie chladenie celku
|
|
Thank you note
Od: People of the world
|
Pridané:
30.3.2017 9:09
Thank you, AMD.
- People of the world
|
|
Re: Thank you note
Od: AMD
|
Pridané:
30.3.2017 9:11
May your Razen bring you glory,
For freeing us of Intel's monopoly.
|
|
Intel vs AMD = Intel + NSA vs AMD.
Od: xyz.
|
Pridané:
30.3.2017 9:28
Intel má nad sebou veľký bič a nie je to len AMD kto mu dýcha na krk, ale aj NSA ktoré si žiadá stále výkonnejšie procesory kvôli lepšiemu prístupu k dátam užívateľov, preto ide Intelu o zachovanie svojej silnej pozície a je odhodlaný urobiť čokoľvek aby to dosiahol a keby vedeli že to pomôže, pribalia vám domov k procesoru ešte škrečka ktorý vám bude utekať v kruhu napojenom na dynamo ktoré bude dodávať dodatočný prúd ktorý zvýši výkon procesoru ešte viac a vyzdvihnú to ako výhodu, že ušetríte na účte za elektrinu.
|
|
Máli sa mi
Od: Kamikaze1
|
Pridané:
30.3.2017 9:28
Neviem vôbec sa nevyznám do štruktúr a procesoch prebiehajúcich v procesoroch ale čakal by som keď sa počet tranzistorov zvýši 2,7x že výkon porastie viac ako "len" o 25%.
|
|
Re: Máli sa mi
Od: Kamikaze1
|
Pridané:
30.3.2017 9:28
Ale to, že sa ich vojde 2,7x toľko na mm^2 asi znamená, že budú robiť čipy menšie čiže reálne v celom procesore ich nebude 2,7x ale napr iba 1,25x toľko a súčiastka bude menšia.
|
|
Re: Máli sa mi
Od: Kamikadze1
|
Pridané:
30.3.2017 9:40
Plocha procesora (napr zmensenie z 2,7cm^2 na 1cm^2) nema priamy vplyv na vykon cipu. Pri zachovani architektury/IPC cipu a len zmene z 14nm na 10nm mohly zvysenie vykonu o 25% dosiahnut aj napr zvysenim taktu.
|
|
Re: Máli sa mi
Od: partizann
|
Pridané:
30.3.2017 10:18
ked idu z odladenej 14nm vyroby na novu 10nm vyrobu, asi len tazko pojdu hore takty, skor opacne...
|
|
Re: Máli sa mi
Od: tojejednozas
|
Pridané:
30.3.2017 16:10
Ty si ten magister procesorov?
|
|
Re: Máli sa mi
Od: RIKK
|
Pridané:
30.3.2017 17:25
No a presne pre toto procesory na slovensku nevyrabame...
|
|
Re: Máli sa mi
Od: :Pjetro de
|
Pridané:
30.3.2017 20:02
zvysenie vykonu o 25% dosiahnut aj napr zvysenim taktu.... ahaaaa a to jakoze ako? z 4,5 ghz na 5,7 ghz?
ty clovece ty mas napady ...
|
|
Re: Máli sa mi
Od: :Pjetro de
|
Pridané:
30.3.2017 20:09
pokial sa nemylim, plati cca pravidlo ze pri x-nasobnom zvacseni poctu tranzistorov sa vykon zvacsi maximalne sqrt(x)-nasobne, co v pripade sqrt(2,7) = 1,64, t.j. teoreticke maximum je zvysit vykon o 64% ... z tohoto teoretickeho maxima bolo vyuzitych 2/5 (25% zo 64%) co slona vrub faktorom ako to, ze nie vsetky sucasti sa podielaju na zvyseni vykonu rovnakym dielom, napr. ked ked zvacsim nL3 cache, vykon stupne o menej ako zodpoveda narast poctu tranzistorov ... dalsi faktor: cip sa mozno snazili vyrobit o trocha mensi
v sumare tieto dva faktory
A) nie vsetky sucasti sa podielaju na zvyseni vykonu rovnakym dielom (niektore velmi malo ale pocet tranzistorov zvysuju signifikantne)
B) cip sa mozno snazili vyrobit o trocha mensi
prakticky vylucuju dosiahnut co i len teoreticke maximum zvysit vykon o 64% (pri zvyseni poctu tranzistrov 2,7-nasobne) ...
|
|
Re: Máli sa mi
Od: syntaxterrorXXX
|
Pridané:
30.3.2017 20:35
Teoreticky bezchybne. Lenze zvacsenie je v skutocnosti y-nasobne, cim je v sumare podstatny iba jeden faktor, popisujuci tieto dva faktory.
|
|
Re: Máli sa mi
Od: RIKK
|
Pridané:
31.3.2017 10:24
tu je tsmc priklad 10 vs 16 finfef vyrobneho procesu (pjetro vie citat grafy :-)) https://goo.gl/tUZu8y
skor ide o kombinaciu zvysenia vykonu a znizenia spotreby a preto samotne zmensenie vyroby nepredstavuje +/-X percentualny narast vykonu, ide skor o kompromis medzi oboma...
|
|
Trochu rozumu do vrecka
Od: Menovec
|
Pridané:
30.3.2017 12:23
Sú to zväčša unipolárne tranzistory. A tie sú riadené napätím.
Vnútri je zrejme aj nejaká pupma, lebo sa mi nechce veriť, že by všetko spoľahlivo fungovalo s napätím 0.8 - 1V pri kremíku!!!
Ale ak je dostatočne kvalitná technológia, sú zvodové prúdy veľmi malé. Opakujem, niečo ako CMOS obvody sú riadené napätím.
Takže aj, ale nielen, preto sa dá znížiť spotreba el. energie napriek narastajúcemu počtu súčiastok.
A 2-stavová logika pozná v praxi aj tzv. tretí stav. Je stav vysokej impedancie.
|
|
Re: Trochu rozumu do vrecka
Od: partizann
|
Pridané:
30.3.2017 13:01
FET tranzistory mozu byt "naladene" hociak, tj ze pri 0V napati na brane (gate) budu stale otvorene a na to aby sa zavreli musi byt brana negativna...
|
|
technologia balsaja
Od: prdlajs
|
Pridané:
30.3.2017 13:26
Co potom udava ta velkost "10 nm", ked to nezodpoveda rozmerom ziadneho prvku na cipe? Vymyslene marketingove cislo?
|
|
Re: technologia balsaja
Od: Menovec
|
Pridané:
30.3.2017 14:17
Asi "niečo najtenšie, najmenšie na čipe. Prepoj?
|
|
Re: technologia balsaja
Od: syntaxterrorXXX
|
Pridané:
30.3.2017 14:29
Prach. Vesmirny prach.
|
|
Re: technologia balsaja
Od: :Pjetro de
|
Pridané:
30.3.2017 20:18
povinne studium: https://goo.gl/UNoHGc
dnes to cislo znamena velke hovno, ponivac to najvyspelejsie co sa este ani seriovo nevyraba (intelovsky 10 nm proces a 100 milionov tranzistorov na 1 mm^2) znamena, ze tranzistor zabera plochu 10000 nm^2 (100 nm x 100 nm) a prakticky tak to najdokonalejsie co na trhu realne je, je intelovsky 14 nm, co znaci plochu tranzistora 27000 nm^2 (164 nm x 164 nm)
ani nechci vediet rozmery celych tranzistorov pri 22-32-45... nm technologiach (tam su rozmery tranzistorov 200-300-400 nm) to som tu uz pred rokmi pisal
|
|
Re: technologia balsaja
Od: MladýPánko
|
Pridané:
30.3.2017 22:22
Takze je mozne, ze buduci marketing bude oznacovat vyr. proces v pm cili pikometroch
|
|
Re: technologia balsaja
Od: :Pjetro de
|
Pridané:
31.3.2017 8:21
alebo sa prejde na des. cisla ... ako v pripade 0,250 - 0,180 a 0,130 mikrometrov ako si to pamatame spred dvoch dekad
az ked marketingove hausnumero kleslo pod 0,1 mikrometra (t.j. pod 100 nm), preslo sa na nm 90-65-45-32-22-14-10 ... a nemali sme 0,090-0,065-0,032-0,022-0,014-0,010 mikrometrovu technologiu
okrem toho ze mozu prejst na pm, mozu ostat v nm a uvadzat des. cisla
tretia moznost: uz dnes je aj medzi IT "laickejsou" verejnostou zname, ze su to marketingove zvasty a neskutocne hausnumera, takze je aj mozne, ze po 7 a 5 nm sa uz ziadne 4-3-2-1 nm nebude uvadzat, ponivac rozdiel v hustote 4 nm a 1 nm je teorticky 16-nasobny a prakticky by mal byt cca 10-nasobny a relane bude 2-nasobny ...
|
|
Re: technologia balsaja
Od: :Pjetro de
|
Pridané:
31.3.2017 8:21
uz existuju aj 12 nm produkcie a 8 nm a 6 nm plany, takze je mozne, ze pod 10 nm sa stratneme s KAZDYM jednym cislom (jedine co som este nevidel je 9 nm)
to ze aj pri "1 nm" marketingovom hausnumere bude mat tranzistor rozmer 40 nm x 40 nm je ina vec ... a ked to takto pojde dalej, na marketingovom hausnumerovom blabole 1 nm sme zachvilku
porovnavat by sa teda mala ozaj realna hustota/velkost tranzostorov a nie riadit sa tymi marketingovymi haunumerami - v clanku https://goo.gl/UNoHGc sa konic koncov pise ze riadit sa tymi marketingovymi haunumerami sa neda uz bezmala dve dekady
|
|
Re: technologia balsaja
Od: MladýPánko
|
Pridané:
31.3.2017 23:32
Mi to pripomenulo kamarata, pytal som sa ho, ze aku ma grafiku a on na to ze 512mb!
Hold laici maju vo vykone komponentov gulas.
|
|
Re: technologia balsaja
Od: :Pjetro de
|
Pridané:
1.4.2017 17:05
ale itckar z toho vydedukuje interval veku tej karty, ze ta karta nebude mat 2 dekady ako S3 Trio 64V+ s 512 kB pamate a jej upgrade na 2 MB kartu co ledva stihalo hadzat pixely na 15tku CRT HANSOL pri 800x600, 16bit ... a potom prisiel upgrade na 8 MB ... fuuu to bolo, to uz aj Win98 okienka v GUI na 17tke CTR HANSOL pri 1024x800 a 24bit a neskor aj 1280x1024 sa posuvali relativne plynule :)))))
|
|
.......................
Od: Usi
|
Pridané:
31.3.2017 21:07
hosi kliiidek
10nm je uz hranicna hodnota pod to to tak lahko nepojde a 10nm tu bude s nami peknych par rokov.
takze prislo nieco co bude tazke prekonat v dohladnej dobe
tak sa seci pekne ukludnime a nadych vydych
:D
|
|
Re: .......................
Od: :Pjetro de
|
Pridané:
1.4.2017 17:06
marteking si spravi aj 3 nm ked chce za 4 roky ... vid vyssie moje komentare
|
|
určite
Od reg.: Fresco
|
Pridané:
1.4.2017 21:27
sú super
|
|
1. apríl
Od: Muad'Dib
|
Pridané:
1.4.2017 22:16
To je prvý apríl, že?
Lebo je to úplná sprostosť... a Intel tam ani nič nemá, len slaboduchú reklamu ako z tvorivej dielne Mikuláša Černáka.
|