Samsung predstavil flash pamäť s viac ako 400 vrstvami

Značky: Samsungflash pamäť

DSL.sk, 26.2.2025

Spoločnosť Samsung na konferencii ISSCC, International Solid-State Circuit Conference, predstavila novú desiatu generáciu jej V-NAND flash pamäte, ktorá bude mať viac ako 400 vrstiev.

Upozornil na to Tom’s Hardware.

Spustenie masovej výroby predchádzajúcej deviatej generácie flash pamäte Samsung oznámil v apríli minulého roka. Spoločnosť neavizuje presný počet vrstiev svojej flash pamäte, podľa niektorých juhokórejských médií má mať deviata generácia okolo 290 vrstiev.

Ako prvé začne spoločnosť vyrábať TLC čipy desiatej generácie s kapacitou 1 terabit respektíve 128 GB. Oproti takýmto čipom deviatej generácie sa má hustota dát zvýšiť zo 17 gigabitov na mm2 na 28 gigabitov na mm2. Rýchlosť rozhrania má stúpnuť z maximálne 3200 MT/s na 5600 MT/s.

Najviac vrstiev z už vyrábanej flash pamäte má v súčasnosti flash pamäť od SK hynix s 321 vrstvami. Najviac vrstiev spomedzi ohlásenej flash pamäte mala doteraz minulý týždeň predstavená flash pamäť od spoločností Kioxia a SanDisk s 332 vrstvami.

Kedy začne Samsung vyrábať prvé čipy V-NAND flash pamäte desiatej generácie nie je zatiaľ známe.




Najnovšie články:



Diskusia:

koľkokrát už zmenili logo? Od: Panasonic-sta | Pridané: 26.2.2025 19:38 SAMSUNG? To sú tí šuplikanti, ktorí ani netušia ako vyrobiť funkčnú súčiastku?? Odpovedať Známka: -3.3 Hodnotiť:

ultraradikálny konsenzualizmus Od: syntaxterrorXXX, . Y | Pridané: 26.2.2025 20:40 Tak logicky, že ak zvládajú synchronizáciu mozgových hemisfér na úrovni potlačenia tušenia, ako formy déjà vu, tak na to priekazne majú. Odpovedať Hodnotiť:

Pridať komentár