neprihlásený Pondelok, 2. novembra 2026, dnes je Pamiatka zosnulých
Samsung predstavil revolučnú PRAM pamäť

DSL.sk, 11.9.2006


Spoločnosť Samsung dnes predstavila ďalšiu výraznú inováciu v oblasti pamätí, keď na konferencii v Soule prezentovala prototyp 512 Mbit čipu Phase-change Random Access Memory (PRAM) pamäte.

PRAM poskytuje rýchlosti v súčasnosti používaných dynamických RAM, zároveň ale uchováva dáta trvalo podobne ako flash pamäť.

Samsung PRAM technológiu vo svojej tlačovej správe označil za technológiu tzv. "perfect RAM".

Na rozdiel od v súčasnosti používaných technológií flash pamätí nevyžaduje PRAM vymazanie bloku buniek pred zápisom, keď umožňuje uložené dáta priamo prepisovať. Vďaka tomuto rozdielu má byť PRAM 30-krát rýchlejšia ako flash pamäť, zároveň poskytovať 10-krát dlhšiu životnosť.

PRAM má nahradiť v prvej fáze najmä NOR flash pamäte, ktoré poskytujú rýchle rýchlosti čítania ale pomalý zápis. Samsung v súčasnosti pre dosiahnutie rýchleho čítania aj zápisu kombinuje NOR a NAND typy flash pamätí do technológie OneNAND.


512 Mbit PRAM pamäťový čip



PRAM má zároveň umožniť oveľa vyššiu hustotu kapacity, keď jedna bunka PRAM má polovičnú veľkosť oproti NOR, 0.0467 um2. Vyrábaná je pomocou trojdimenzionálnych tranzistorov.

Samsung predpokladá dostupnosť technológie na začiatku roku 2008, prvé vyrábané čipy budú mať kapacitu 512 Mbit.



Najnovšie články:

Raspberry Pi opäť výrazne zdražilo 16 GB modely
Microsoft plne neimplementoval zrušenie posúvania času v Kanade, vyžaduje manuálny zásah
Google začal vo vesmíre testovať satelit pre AI dátové centrum
Android 17 mal po tri a pol mesiacoch podiel iba 1%
Francúzsky parlament schválil daň za každý GB prenesený po Internete
NASA stratila komunikáciu s Voyager 1, sama sa obnovila
Tesco, prevádzkovateľ najväčšieho internetového predaja potravín a mobilný operátor, mení majiteľa
Ministerstvu kvôli bezpečnosti už deň a pol nejde web, situáciu doteraz zrejme nevysvetlilo
Predaj notebookov s OLED má výrazne rásť, MacBook Air s OLED má prísť až v 2029
NASA úspešne nainštalovala nové solárne panely na ISS, upgrade dokončí o týždeň


Diskusia:
                               
 

no delo len ten rok nepotesil :(
Odpovedať Hodnotiť:
 

ale 512 Mb je iba 64MB a to v roku 2008 bude malo :D
Odpovedať Hodnotiť:
 

Ale je to o chipe!

Ak das na modul 8 chipov, tak to bude 512/8*8=512MB
Alebo zvysia hustotu a das 16chipov (ako dnesne DIMM) a bude 512*2/8*16=2048MB
Odpovedať Hodnotiť:
 

Tak tak ... Inak vsimli ste si ze zase Samsung??? Ja neviem na akom matrosi tam ti ludia slapu ale len tak dalej !!!
Odpovedať Hodnotiť:
 

slapu na premiach,a na platoch...
Odpovedať Hodnotiť:
 

v minulosti bolo (a mozno aj je) technologickým lídrom Japonsko, ale vyzera to tak, ze Juzna Korea jej cim dalej tym viac zacina konkurovat...
klobuk dole pred Samsungom...
Odpovedať Hodnotiť:
 

lol
512*2=1024
Odpovedať Hodnotiť:
 

jj, 512/8*16 = 1024 MB ;-)
Odpovedať Hodnotiť:
 

to "*2" myslel asi ty zvysenu hustotu ;) ... ale v podstate nikto z vas nema pravdu, lebo 512Mb = 512 000 000 b = 64 000 000 B = 61,035MiB :D ... ak by sme chceli 64ku ramku z toho, tak potrebujeme ~537Mb ;) ...
Odpovedať Hodnotiť:

Pridať komentár