Flash pamäť dosiahne viac ako 1000 vrstiev v roku 2030

Značky: flash pamäťSamsung

DSL.sk, 24.6.2026

Počet vrstiev flash pamäte presiahne podľa spoločnosti Samsung, jedného z najväčších výrobcov flash pamäte, tisíc vrstiev v roku 2030.

Samsung to uviedol aspoň podľa zverejneného grafu v prezentácii na VLSI Symposium 2026, na prezentáciu upozornil Wccftech.

Takýto termín pre dosiahnutie tisíc vrstiev niektorí výrobcovia už avizovali v predchádzajúcich rokoch, informácia je ale samozrejme relevantnejšia a potenciálne presnejšia s približovaním sa tomuto termínu.

Z masovo vyrábanej flash pamäte má v súčasnosti zrejme stále najvyšší počet vrstiev flash pamäť od SK hynix, 321 vrstiev. Viacero výrobcov oznámilo aj vyšší počet vrstiev, zatiaľ sa ale takáto flash pamäť masovo nevyrába.

Práve Samsung by mal tento rok prevziať prvenstvo v počte vrstiev, keď už na začiatku minulého roka predstavil desiatu generáciu jeho V-NAND flash pamäte, ktorá bude mať viac ako 400 vrstiev. Zatiaľ stále neoznámil spustenie jej výroby, mala by ale začať v tomto roku. Masovo vyrábaná deviata generácia V-NAND flash pamäte má podľa dostupných informácií okolo 290 vrstiev.

Podľa zatiaľ neoficiálnych informácií juhokórejských médií má zároveň SK hynix do konca tohto roka spustiť výrobu flash pamäte až s 375 vrstvami.

Samsung už vyvinul pamäť aj s 900 vrstvami, dosiahol to spojením dvoch 450-vrstvových pamätí. Neoficiálne informácie to avizovali minulý mesiac, aktuálne Samsung o tom informoval na VLSI Symposium 2026.


Najnovšie články:



Diskusia:

Pridať komentár